Présentation
Structure interne de la porte inverseuse ABT
Constitution de la porte



PRESENTATION :

            Apparue en 1990, cette famille est constituée de transistors bipolaires et MOS sur une même puce, combinant ainsi les avantages des 2 familles tout comme les BCT et les LVT. Le procédé de fabrication de ces circuits est EPICIIB à 0,8µm .Ils offrent une grande rapidité, un courant de sortie élevé ce qui est idéal pour attaquer les lignes de bus, mémoires RAM.
De plus les ABT sont munis d'un étage d'entrée à hystérésis ce qui permet d'augmenter de façon conséquente l'immunité au bruit.

On rencontre comme fonctions logiques: bascules D 20 bits avec mise à haute impédance 74 ABT 16821; MULTIPLEXEUR DEMULTIPLEXEUR; buffer avec génération du bit de parité 74 ABT 833;

On rencontre ces circuits sous différents boitiers:
               

Les ABT s'alimentent en 5 V et le temps de propagation est alors de 2,7 ns.



STRUCTURE INTERNE simplifiée de la porte INVERSEUSE ABT




CONSTITUTION de la porte INVERSEUSE ABT


Les structures des circuits ABT se décomposent en :
           un étage d'entrée en couleurs rouges sur le schéma:Le transistor bipolaire relié à l'alimentation Vcc abaisse l'alimentation des transistor MOS afin de rendre les niveaux des tensions d'entrées compatibles TTL. Le courant d'entrée est nul grace aux transistors MOS qui forme un inverseur. La porte inverseuse et le transistor MOS permet l'introduction d'un hystérésis en entrée tout comme la famille AC MOS.

           Fonction du circuit: la structure qui suit l'étage d'entrée réalise la fonction du circuit intégré. Dans notre cas il s'agit d'un inverseur logique mais on rencontre des structures complexes comme des bascules

           un étage de sortie de couleur bleue: cette étage est à transistors bipolaires . En effet ces transistors admettent une densité de courant plus importante que les transistors MOS donc un courant de sortie plus élevé qu'avec une structure MOS de même taille.

           Mise en haute impédance: La structure de l'étage ci-dessus ne permet pas la mise en HZ. Les circuits BCT pouvant être mis en HZ auront la structure de sortie suivante:


Lorsque l'on applique un 0 logique sur l'entrée de mise en HZ, les transistors MOS canal N sont bloqués et les transistors canal P sont passants. La porte logique remplit sa fonction inverseur dans notre cas.
Lorsque l'on veut mettre cette porte en HZ, il faut appliquer un 1 logique sur l'entrée de commande de mise en HZ. Dans ce cas les transistors MOS canal N sont passants et les transistors canal P sont bloqués. Alors les 2 transistors bipolaires en sortie sont bloqués car il n'y a aucune tension de base. Passer le curseur sur l'image ci-dessus pour voir la nouvelle configuration.

           surveillance de le tension d'almentation:

Vcc = 5 V, le transistor bipolaire est saturé et donc le transistor à canal P. La tension d'alimentation de la porte est de 5 V.
Lorsque Vcc < 5 - (0,7 + 0,7 + 0,3) = 3,3 V, le transistor bipolaire se bloque et le transistor MOS à canal N est passant donc l'alimentation de la porte est nulle. La porte ets dans l'état de haute impédance.